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报道称东芝今年投产25纳米制程以下闪存芯片

日期:2016-8-9(原创文章,禁止转载)

《日经新闻》近日报道称东芝计划今年投入150亿日元(1.6亿美元)建设一条测试生产线来生产25纳米以下尺寸闪存芯片。 东芝是全球第二大 NAND闪存芯片制造商儿童癫痫怎么治,排名仅次于三星电子。《日经新闻》称东芝已经向ASML订购了芯片制造设备来生产电路尺寸在25纳米以下的微芯片哈尔滨癫痫病专科医院。更小的电路尺 寸可以让半导体公司在更小的硅晶圆上封装更大的存储容量继发性癫痫病中医治疗,从而降低单位生产成本。 东芝目前生产的是32和43纳米制程的NAND闪存芯片。 和个人电脑上使用的动态随机存取记忆体(DRAM)芯片不同,NAND闪存芯片在关闭电源后也可以保留数据,因此是手机等便携式电子产品理想的存储设备。 《日经新闻》表示,东芝将很快开始生产20纳米制程以上的NAND芯片,而20纳米制程以下的芯片预计至早将于2012年投产。 东芝发言人表示该公司计划在2010年下半年生产20至29纳米之间制程的NAND闪存芯片,不过东芝尚未决定新芯片的制程是在25纳米以上还是以下。 该发言人表示东芝正在同荷兰的 ASML进行谈判。东芝可能采购最新型的芯片制造设备。该芯片制造设备采用极紫外(EUV)光刻技术在硅晶圆上刻入小尺寸电路。

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